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工程设计

Engineering Design

      威尼斯wnsr9778始终专注于电子信息行业工程技术服务,拥有工程设计电子通信广电行业(电子工程)甲级、建筑行业(建筑工程)甲级设计、建筑智能化系统设计专项甲级,环境工程设计(水污染防治工程、大气污染防治工程、物理污染防治工程)专项甲级,建筑工程施工总承包壹级、机电工程施工总承包壹级等多项资质。


      业务聚焦半导体、新型显示、电子材料、大数据、生物医药、新能源等产业,业务范围涵盖规划咨询、工程设计。汲取电子院70年技术的精华,引领着电子工业板块的发展。公司聚焦平板显示、半导体、数据中心、生命科学四大战略新兴行业,以设计为龙头,服务范围涵盖前期咨询、规划、环境和节能评价、工程设计等。工程师覆盖建筑、结构、土木、电气、暖通空调、给排水、消防、仪表控制、管道、机械、工艺及安全等各个专业。在关键工艺设备研究及选型、工艺流程及产能分析、生产环境保障系统,如洁净室控制技术、微震控制技术、纯、废水处置技术、超长结构体系、生产自动化传输系统,数据中心机房、太阳能光伏电站建设等业务,电子工厂烟气处理,创建绿色电子工业工厂。


      公司设计团队熟练掌握BIM建模技术,通过运用前沿的设计软件,为客户提供3D设计,也能更精准地计算造价,提供更好的费控管理,合理利用空间,为高度复杂高科技厂房项目提供高质量设计服务。



案例简介:


1、

项目名称: 华星光电t6&t7(G11)

项目地点: 深圳

项目规模: 160万㎡

工作范围: 咨询/工程设计/工程管理

项目概况:TCL华星光电t6项目是企业着眼于加速我国新型平板显示产业的转型升级,进一步提升我国TFT-LCD产业竞争力的重大战略布局。t7项目于2018年11月开工建设,主要包含以下三大特点:主要聚焦超大尺寸;具备量产 4K/8K等超高清产品能力;顺应时代趋势,可生产OLED TV产品。项目建成投产后,将弥补中国大陆在8K超高清先进产品的市场空缺,进一步完善TCL华星在深圳的产线布局,同时带动深圳成为全球第一大半导体显示产业基地。



2、


项目名称: 京东方B12(G6)

项目地点: 重庆

项目规模: 84万㎡

工作范围: 咨询/工程设计/工程管理

项目概况:重庆京东方显示技术有限公司京东方重庆第6代AMOLED(柔性)生产线项目,由威尼斯wnsr9778工程有限公司负责工程设计和管理,并已成功投产。该项目位于重庆市两江新区水土高新技术产业园,总用地面积约67万平方米,总建筑面积约100万平方米,于2019年9月顺利封顶。AMOELD显示面板的生产具有很强的带动作用,产品制造涉及光学、半导体、电机、化工、材料等各项领域,上下游所需技术层面极广,各领域分工较为明显:上游材料包括玻璃基板、偏光片、OLED材料、掩膜板等;下游应用终端产品包括手机、车载显示、可穿戴设备、便携式DVD、数码相框、便携式电脑、数码相机、数码摄像机、工控仪表等。该项目建设带动了中国柔性显示产业上下游协同发展,形成互补联动的集聚效应。同时,如此大规模的项目对当地的就业亦产生了积极的影响。该项目的成功落实,进一步提供国内AMOLED技术的发展,提升了国际竞争力。





3、


项目名称: 京东方B11(第6代AMOLED)

项目地点: 绵阳

工作范围:工程设计/工程管理

项目概况:绵阳京东方光电科技有限公司占地约1200亩,项目主要产品为用于显示终端产品的中小尺寸柔性AMOLED屏幕,适用于全屏手机、固定曲率手机、折叠手机、折叠笔记本产品等。绵阳京东方项目于2016年12月开工建设,2018年1月实现主体厂房封顶,10月完成设备搬入,2019年7月实现产线量产。






4、


项目名称: 西安奕斯伟项目12寸硅片

项目地点: 西安

项目规模: 33万㎡

工作范围: 可研/工程设计/工程管理

项目概况:业主为西安奕斯伟硅片技术有限公司,主要生产12英寸集成电路用硅抛光片和外延片,产品广泛应用于电子通讯、汽车制造、人工智能、消费电子等领域,为半导体产业提供关键性支撑。奕斯伟所投资的硅产业基地项目,12英寸硅片是中国半导体产业链上亟待加强的一环,长期以来一直依赖进口,项目有效提高西安半导体产业的国际竞争力和上下游配套能力,完善陕西省集成电路产业链,填补我国半导体硅材料领域的空白。





5、

项目名称:西安三星12英寸闪存芯片项目(一期&二期)

建设地点:西安高新区

项目规模:54万㎡

工作范围:咨询总包/工程设计

获奖情况:国家优质工程奖;2016年度电子信息行业电子工程优秀设计一等奖

项目概况:该项目业主为三星电子的全资子公司,是半导体存储芯片领域非常重要的基地,位于陕西省西安市高新区综合保税区,拥有半导体芯片制造及封装测试生产线。是三星在海外规模最大的一笔单项投资,园区总占地面积114万平方米。其采用最领先的半导体技术,生产世界先进水平的3D V-NAND存储芯片。